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2N7000G中文资料

2N7000G图片

2N7000G外观图

  • 大小:383.83KB
  • 厂家:STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述:N-channel 60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET Power MOSFET
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:200mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:60pF @ 25V
  • 功率 - 最大:350mW
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装:TO-92-3
  • 包装:散装
  • 其它名称:2N7000G-ND2N7000GOS

2N7000G供应商

更新时间:2023-01-27 01:14:17
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